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长鑫把DRAM压到11.95纳米,先量产的却是手机内存

长鑫把DRAM压到11.95纳米,先量产的却是手机内存

9月20日,长鑫存储宣布第五代DRAM平台量产,有源区半间距缩到11.95纳米,每片晶圆裸片数比上一代多至少50%。同一时间,PC内存现货价处在近十年高位,原因是AI服务器把产能抽走。这次量产的两款芯片都是手机用的LPDDR5X,公司通稿里没有出现HBM。

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